Лаборатория физики полупроводников и полупроводникового материаловедения

Руководитель – доктор физико-математических наук, профессор Рогачева Елена Ивановна

Научное направление – исследование структуры, фазовых переходов и особенностей формирования термоэлектрических свойств в кристаллах и наноструктурах твердых растворов на основе полупроводниковых соединений и полуметаллов.

Под руководством проф. Рогачевой Е.И. сотрудниками лаборатории выполнено 10 хоздоговорных, 12 госбюджетных тем, получено 3 гранта Государственного фонда фундаментальных исследований Украины (два из них – совместно с Национальным Научным Фондом США) и 5 грантов в рамках международных проектов (CRDF, INTAS). На протяжении последних 15 лет лаборатория совместно с учеными Массачусетского технологического института (лаборатория проф. М. Дресселхауз, Кембридж, США) проводит работы по разработке физических основ создания нанорозмерных материалов с высокой термоэлектрической эффективностью.

На базе лаборатории создан учебный лабораторный практикум по физике полупроводников.

Лаборатория электронной микроскопии

Руководитель – доктор физико-математических наук, профессор Багмут Александр Григорьевич

Научное направление – электронно-микроскопическое изучение процессов роста и структуры тонких пленок, а также происходящих в них фазовых и структурных превращений.

Научные достижения и оригинальные разработки:

  • Разработана электронно-микроскопическая методика определения относительного изменения плотности при кристаллизации аморфных пленок
  • Разработана методика осуществления низкотемпературной эпитаксии при совместном лазерном и термическом испарении вещества
  • Предложена классификация реакций кристаллизации аморфных слоев по структурно-морфологическим признакам

В рамках проводимых исследований лаборатория поддерживает научные связи и сотрудничает с кафедрой физики низких температур Уральского университета, а также с лабораторией магнитных исследований Красноярского физико-технического института

Учебно-научная лазерная лаборатория

Руководитель – доцент Андреев Александр Николаевич

Научное направление – иссле

Научные достижения и оригинальные разработки:

  • Разработана  и испытан совместно с Лабораторией инженерии материалов и высоких давлений (Университет Париж-13) волоконно-оптическое устройство для измерения размеров коллоидальных наночастиц in situ (непосредственно в процессе роста в реакторе).
  • Разработана и испытана технология непосредственного нанесения голографической дифракционной решетки на полированные металлические поверхности излучением импульсного лазера на алюмоитриевом гранате с неодимом.
  • Разработана методика моделирования эволюционных процессов сложных систем — образование тонких пленок в космических условиях (синтез наноматериалов в невесомости). Методика пригодна для описания биофизических процессов.

На базе лазерной лаборатории читаются специальные физические  курсы и выполняются лабораторные работы для студентов старших курсов  НТУ «ХПИ»

«Квантовая радиофизика и нелинейная оптика»
«Лазерная техника и технология»,
«Лазерные и оптоволоконные устройства»,
«Лазеры в оптическом контроле» и др