Історія кафедри

Кафедра мікро- та наноелектроніки заснована у 1988 році.
Кафедра поєднує дві освітні і наукові школи:

– Багаторічний досвід інтенсивної наукової діяльності та тісного співробітництва професорсько-викладацького складу і наукових співробітників з провідними розробниками виробів електроніки та сонячної енергетики на основі напівпровідникових композицій у країнах Західної Європи призвели до створення в НТУ «ХПІ» наукової школи з розвитку фізичних основ сучасного матеріалознавства стосовно плівкових шарів і шаруватих гетеросистем на основі напівпровідникових композицій, які забезпечують високу надійність, довговічність і ефективність роботи сучасних виробів мікроелектроніки та сонячної енергетики. Перша випускаюча кафедра, яка готувала спеціалістів в області мікроелектроніки та сонячної енергетики (на тепер спеціальність 176 «Мікро- та наносистемна техніка»).

– Наукова школа з радіофізики заснована у 1971 році. З 1989 р. на кафедрі ведеться підготовка здобувачів вищої освіти за спеціальністю «Радіофізика та електроніка» (на тепер спеціальність 105 «Прикладна фізика та наноматеріали»). З метою підвищення якості підготовки спеціалістів на кафедрі створено Науково-учбовий центр «Іоносфера» у співпраці з Інститутом іоносфери МОН і НАН України. Наукові напрямки школи спрямовані на розробку апаратури для радіофізичних досліджень ближнього космосу, систем цифрової обробки сигналів у реальному часі та моделей іоносфери на основі даних, одержаних методом некогерентного розсіяння.

Враховуючи поточну ситуації в сфері електроніки та енергетики і розвиток ВПК в Україні виникає збільшений попит на спеціалістів та наукові дослідження в сфері сонячної енергетики для надзвичайних ситуацій, а також у сфері розробки захищеної мікро- та радіоелектроніки. Означені тенденції стали основю створення потужної кафедри, здатної реагувати на виклики сучасності та готувати висококваліфікованих спеціалістів для сучасних потреб України.

Починаючи з 2013 року кафедра активно виконує державні науково-досліджні теми, гранти НФДУ та міжнародні проєкти.

З 2016 року завідувачем кафедрою став професор, доктор технічних наук Зайцев Роман Валентинович.

Кафедру Мікро- та наноелектроніки (раніше Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики) було засновано у 1988 році з ініціативи доктора фізико-математичних наук, професора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища та ін. В галузі фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії у співпраці із Науково-дослідним технологічним інститутом приладобудування (НДТІП, м. Харків) в рамках космічної програми України були разроблені нові конструктивно-технологічні рішення виготовлення монокристалічних кремнієвих сонячних батарей для українських космічних апаратів з ККД 14 %, розроблена технологія виготовлення сонячних батарей на основі CdTe з ККД 5-6 % для мікроваттної електроніки, розроблен та впроваджен у практику новий тип іонно-молекулярного джерела з частково іонизованими потоками для вакуумного формування тонких плівок напівпровівдникових сполук для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії та ін.

В рамках міжнародного співробітництва кафедра приймала активну участь у науковій програмі INTAS 94-3998 “Високоефективні тонкоплівкові сонячні батареї на основі халькогенідних напівпровідників” (1995-1997 р.). Кафедра була єдиним представником України в цьому проекті та співпрацювала з такими провідними науковими закладами як Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire d’Electrochimic et de Chimic Analytique, Paris, France; Universidad Cjmplutense, Facultad de Ciencias Fisicas, Madrid, Spain; Ioffe Physic-Technical institute, Laboratory of Physical-Chemical Properties of Semiconductors, St. Petersburg, Russia; Institute of Physics of Solid and Semiconductors of the Belarussian Academy of Sciences, Semiconductors Physics, Minsk, Belarus.

Кафедра МНЕ в рамках Swiss National Science Foundation з 1997 року співпрацює з Swiss Federal Institute of Technology Zurich. Разом з цим науковим закладом у межах міжнародного партнерства у 1997-1998 роках кафедра на протязі 18 місяців приймала активну участь в проекті SNS-CEEC/NIS IP Project 7IPO5129 “Тонкоплівкові сонячні батареї на основі напівпровідникових сполук” (1997-1998 р.). Кафедра МНЕ була єдиним представником України в цьому проекті та співпрацювала з такими провідними науковими закладами як Central Laboratory on Solar Energy and New Materials, Sofia, Bulgaria; Institute of PhysicsWarsawUniversity of Technology, Warsaw, Poland.

В грудні 1995 року Центр сонячної енергії (м. Штутгарт, Німеччина) запропонував у листі голови Центру проф. H. Albrecht ректору Харківского державного політехнічного університету проф. Костенко Ю.Т. вважати кафедру МНЕ членом Центру сонячної енергії та стати його повноважним представником в Україні. Пропозицію Центру було із вдячністю прийнято ректором та Вченою Радою університету.

У 1997-1999 роках кафедра приймала активну участь у Міжнародній програмі INTAS 96-0206 «Виготовлення активаційними методами тонких плівок халькопіритів та сонячних елементів». Координатором проекта виступав Штутгартський університет (Німеччина). З 2001 року кафедра МНЕ приймає активну участь в реализації проекту Tasis TSP/UK/0003/102 «Створення центру використання сонячної енергії в місті Одеса».

З весни 2009 року завідувачем кафедрою став професор, доктор технічних наук Хрипунов Геннадій Семенович. З його іниціативи у 2008 році кафедра виграла грант на проведення лабораторних досліджень та з 2009 по 2011 рр. успішно виконала Міжнародний проект Українського Науково-Технологічного Центру «Розробка лабораторної технології виготовлення гнучких сонячних елементів на основі теллуриду кадмію». З 2011 по 2012 рр. кафедрами мікро- та наноелектроніки і промислової і біомедичної електроніки як результат виконання роботи за Держзамовленням ДЗ 477 (2011‑2012 р.р.) на тему «Розроблення фотоенергетичної установки на основі багатоперехідних кремнієвих сонячних елементів з вертикальними діодними комірками» було створено дослідний промисловий зразок такої установки.

У 1960-х роках електроніка у вигляді приладів та методів стала швидкими темпами впроваджуватися в різноманітні галузі науки і техніки, забезпечуючи підвищення ефективності виробництва та наукових досліджень. Це вимагало відповідної підготовки інженерних кадрів, які випускалися в ХПІ. Тому з ініціативи ректора, професора М. Ф. Семка, у 1971 році в інституті була організована кафедра «Радіоелектроніка», яка увійшла до складу факультету «Автоматика та приладобудування».

Завданням кафедри стало викладання основ електроніки, а також радіотехнічних дисциплін студентам машинобудівного, хімічного та інженерно-фізичного факультетів. Основу кафедри склав колектив викладачів та співробітників радіотехнічного факультету. Завідувачем кафедри став доцент, кандидат фізико-математичних наук В. І. Таран, який очолював науково-дослідну лабораторію, що займалася вивченням іоносфери (НДЛ РЕ).
Кафедра «Радіоелектроніка» в обмежений термін провела велику організаційну та методичну роботу з підготовки навчального процесу в нових умовах: були розроблені та узгоджені з факультетами навчально-робочі плани, підготовані курси лекцій, забезпечені умови для проведення лабораторних практикумів. Необхідно відзначити велику допомогу, надану кафедрі керівництвом НДЛ РЕ, яка передала достатню кількість сучасної вимірювальної апаратури та матеріалів для проведення навчального процесу.

Згодом співпраця кафедри та НДЛ РЕ (перетвореної пізніше в Інститут іоносфери ) продовжувала успішно розвиватися та призвела до їх об’єднання в навчально-науковий комплекс «Іоносфера». Особливістю виконання наукових робіт кафедри «Радіоелектроніка» стало залучення до наукової роботи талановитих студентів, що стало невід’ємною частиною навчального процесу.

У 1986 році на кафедрі розпочалася комп’ютеризація навчального процесу, яка згодом дозволила отримати електронні варіанти конспектів лекцій та інших методичних матеріалів, скоротити час на розрахункову і графічну роботу та доповнила традиційний лабораторний практикум. До теперішнього часу на кафедрі використовуються демонстраційні, лабораторні та навчальні програми, складені викладачами кафедри.

У 1989 році кафедра змінила статус із загально-технічної на профільну, приступивши до набору, підготовки та випуску інженерів-радіофізиків. Це привело до перебудови роботи кафедри внаслідок збільшення кількості лекційних курсів, ускладнення лабораторного практикуму та появи нових видів навчального процесу (курсове та дипломне проектування, виробнича практика тощо). Велику увагу кафедра приділила розвитку практичних навичок майбутніх інженерів.

Зі зміною статусу кафедри збільшився штат педагогічного та навчально-допоміжного персоналу. Значну роль у цьому зіграв навчально-науковий комплекс «Іоносфера», який поєднав навчальний процес з науково-дослідною роботою. Це дозволило істотно підвищити рівень підготовки випускників кафедри, перший випуск яких відбувся у 1994 році.

У 1991 році було створено науково-дослідний Інститут іоносфери НАН і МОН України. У 2001 році науковий центр, названий «Іоносферним зондом», було визнано об’єктом Національного надбання.

Вивчення іоносфери має фундаментальний характер і важливе значення для глобальних досліджень та проводиться в кооперації з світовим науковими центрами. Співпраця із провідними світовими організаціями позитивно позначилася на розвитку досліджень і підвищенні авторитету кафедри «Радіоелектроніка» та Інституту іоносфери на міжнародному рівні. Зараз науково-навчальний центр «Іоносфера», до якого входять Інститут іоносфери та кафедра «Радіоелектроніка» є одним із провідних вітчизняних центрів дослідження навколоземного космічного простору.

У 2008 році кафедру «Радіоелектроніка» очолив професор, доктор технічних наук І. Ф. Домнін.

У 2009 році кафедра приступила до підготовки інженерів за напрямом підготовки «Комп’ютерна інженерія» за спеціальністю «Спеціалізовані комп’ютерні системи» на факультеті «Автоматика та приладобудування», а в 2010 році підготовки фахівців з цієї ж спеціальності на німецькому технічному факультеті.