Хрипунов Геннадій Семенович
(Khrypunov Gennadiy)
1963 р.н.
1. БАЗОВА ОСВІТА
У 1986 році закінчив фізико-технічний факультет Харківського політехнічного інституту за спеціальністю фізика металів та здобув кваліфікацію інженера-фізика.
2. ВЧЕНИЙ СТУПІНЬ
З 1999 року – кандидат фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – «Фізика твердого тіла»
З 2008 року – доктор технічних наук за спеціальністю 01.04.07 – «Фізика твердого тіла». Тема докторської дисертації «Фізико-технологічні основи оптимізації плівкових сонячних елементів на основі сульфіду та телуриду кадмію»
3. ВЧЕНЕ ЗВАННЯ
З 2010 року – професор кафедри фізичного матеріалознавства для електроніки та геліоенергетики (ФМЕГ).
4. ВІК
51 рік
5. ПОСАДА
Завідувач кафедрою фізичного матеріалознавства для електроніки та геліоенергетики (з 2008 року)
6. МІСЦЕ РОБОТИ
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» 61002, Україна, Харків, вул. Фрунзе 21,
7. ОБЛАСТЬ НАУКОВИХ ІНТЕРЕСІВ
-Вакуумні технології одержання плівок металів і напівпровідників методами термічного вакуумного випаровування, високочастотного магнетронного розпилення, магнетронного розпилення на постійному струмі, конденсації в квазізамкненому об’ємі;
– Кристалічна структура, оптичні, електричні та фотоелектричні властивості плівок ZnO: Al, ZnO: In, ITO, SnO2: Sb, CdTe, CdS, Cu (InGa) Se2, CuInSe2, CuGaSe2 і приладових структур на їх основі;
– Конструктивно-технологічні рішення тонкоплівкових сонячних елементів на скляних і гнучких підкладках на основі CdS / CdTe, CdS / Cu (InGa) Se2;
8. ДОСВІД ОРГАНІЗАЦІЙНОЇ РОБОТИ
8.1 Організація бюджетного фінансування науково-дослідницькою групою кафедри ФМЕГ, що складається з 8 наукових співробітників і 3 інженерно-технічних працівників, шляхом подачі і виконання фундаментальних і прикладних науково-дослідних проектів. Пошук наукових і промислових партнерів на Україні, складання конкурсної документації, науково-технічне керівництво виконанням проекту, складання кошторису витрат, складання звітних фінансових документів.
– «Розробка фізичних основ технологій ефективних гнучких і двосторонньо чутливих сонячних елементів на основі телуриду кадмію» (номер державної реєстрації 0106U001515) із загальним обсягом фінансування еквівалентним 100 000 $, 2006-2008 рік;
– «Дослідження фізичних принципів оптимізації фотоелектричного перетворення в сонячних елементах з нанорозмірними шарами» із загальним обсягом фінансування еквівалентним 100 000 $, (номер державної реєстрації 0109U002224), 2009-2011 рік;
– «Розробка фізико-технічних основ інноваційних конструктивно-технологічних рішень перетворювачів сонячної енергії» (номер державної реєстрації 0112U000412) із загальним обсягом фінансування еквівалентним 100 000 $, 2012-1014 рік;
– «Фізико-технічні основи конструктивно-технологічних рішень плівкових і нанокристалічних сонячних елементів нової генерації» із загальним обсягом фінансування еквівалентним 100 000 $, (номер державної реєстрації – 0113U000451), 2012-2014 рік;
8.2 Організація госпдоговірного фінансування. Робота з потенційними замовниками. Складання техніко-економічного обґрунтування, складання кошторису витрат, складання звітних фінансових документів
– «Порівняльний аналіз існуючих модифікацій геліотехнічних систем, визначення вихідних даних та здійснення науково обґрунтованого вибору необхідного геліотехнічного устаткування для систем опалення та гарячого водопостачання індивідуальних котеджів на основі сонячних колекторів (госпдоговірна тема №64938) із загальним обсягом фінансування 60 000 $, 2009 рік.
При виконанні цієї теми був налагоджений контакт з ізраїльськими, іспанськими та китайськими фірмами, які виробляють системи теплових колекторів. Це дозволило для замовника теми отримати спеціальний дисконт, згоду на навчання співробітників фірми на цих фірмах, розробити спільний бізнес план для впровадження систем сонячних теплових колекторів при будівництві індивідуальних домів в Україні.
– «Розробка фотоенергетичних установок на основі багатоперехідних кремнієвих сонячних елементів з вертикальними діодними комірками» (ДЗ / 477-2011 з державним агентством з питань науки, інновацій та інформатизації України) із загальним обсягом фінансування еквівалентним 200000 $, 2011-2012 рік.
При виконанні цієї роботи був виготовлений дослідний зразок фотоенергетичної установки, розроблені її робочі креслення, складено інноваційний проект її промислового впровадження, в якому проаналізовано ринок споживачів, розрахована собівартість продукції, передвиробничі і виробничі витрати і т.п.
8.3 Організація участі в міжнародних проектах. Налагодження зв’язків з міжнародними партнерами, науково-технічне керівництво виконанням проектів, складання конкурсної документації, складання звітних фінансових документів
– Міжнародний проект УНТЦ 4301 «Розробка лабораторної технології плівкових сонячних елементів на основі телуриду кадмію», який фінансувався Європейським співтовариством – 150 000 $. В рамках проекту кафедра ФМЕГ співпрацювала з інститутом фізики напівпровідників АН України та інститутом фізики АН Азербайджану.
8.4 Складання техніко-економічного обґрунтування та бізнес-планів вітчизняним і зарубіжним комерційним фірмам в області геліоенергетики.
– «Організація бізнесу в області теплових колекторів на Україні», індивідуальний контракт з фірмою “Sunrise” (Харків), 2008 рік;
– «Створення промислового зразка вакуумного модуля з виробництва гнучких сонячних елементів» індивідуальний контракт з канадською інвестиційною компанією (Харків), 2011 рік;
– «Система гарячого водопостачання спортивного комплексу НТУ« ХПІ », 2012 рік, для отримання фінансування від світового банку;
– «Система гарячого водопостачання спортивного табору НТУ« ХПІ », для отримання фінансування від світового банку, 2012 рік;
– «Створення системи освітлення НТУ« ХПІ »на основі фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії» для отримання фінансування від світового банку, 2012 рік;
– «Організація промислового виробництва гнучких сонячних елементів на основі телуриду кадмію», для отримання фінансування від світового банку, 2012 рік.
9. МІЖНАРОДНА НАУКОВА ДІЯЛЬНІСТЬ
1995-1997 р – участь в реалізації міжнародного проекту INTAS 94-3998 «Високоефективні тонкоплівкові сонячні елементи на основі халькогенідних напівпровідників» (координатор проекту – Штутгартський Університет, Німеччина).
1997-1998 р – участь в реалізації міжнародного проекту 7IP050129 «Тонкоплівкові сонячні елементи на основі напівпровідникових сполук» (координатор проекту – Швейцарський технологічний інститут, Цюріх).
1997-1999 р – участь в реалізації міжнародного проекту INTAS 94-3998 «Виготовлення халькоперітних тонкоплівкових сонячних елементів активаційними методами» (координатор проекту – Штутгартський Університет (Німеччина)).
2001-2002 р – локальний експерт ЮНЕСКО в міжнародному проекті TSP / UK / 0003/102 «Створення центру з використання сонячної енергії в місті Одеса».
У 1998 році (2 місяці), у 2002 році (3 місяці), в 2003 році (6 місяців), 2006 році (5 місяців) – проходив стажування в групі фізики тонких плівок Швейцарського технологічного інституту (м Цюрих) в групі проф. А. Тіварі. Цій групі протягом 5 останніх років належить світовий рекорд по ефективності для гнучких СЕ на основі CdTe і CIGS. У 2006 році світовий рекорд по гнучким СЕ на основі CdTe був отриманий Хрипуновим Г.С. про що свідчить стаття 9, а згідно статті 6 та міжнародного патента Хрипунов Г.С. є співавтором створення першого в світі двосторонньо-чутливого плівкового сонячного елемента на основі телуриду кадмію.
International Patent: A.N. Tiwari, G. Khrypunov, F. Kurdezesau, D.L. Barzner A. Romeo Bifacial thin film solar cells, application number GB200300 18906 200030813, priority number GB200300 18906 200030813 dated lodged – 13.08.2003, dated published – 16.02.2005
2009-2010 р – керівник міжнародного проекту УНТЦ 4301 «Розробка лабораторної технології плівкових сонячних елементів на основі телуриду кадмію», який фінансувався Європейським співтовариством. В рамках проекту кафедра ФМЕГ співпрацювала з інститутом фізики напівпровідників АН України та інститутом фізики АН Азербайджану.
З 2013 року – керівник національного контактного пункту міжнародної рамкової програми Європейського співтовариства «Горизонт 2020» за напрямом «Нанотехнології, сучасні матеріали і передові промислові виробництва»
10. НАУКОВИЙ НАПРЯМОК
Фізика, матеріали, технологія, конструкція, застосування сучасних плівкових фотоелектричних перетворювачів
З 2010-2014 рік – член науково – технічної ради Державної цільової науково – технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» за напрямом «Забезпечення розвитку наноіндустрії».
2010-2013 рік – експерт ради ВАК України з фізики та астрономії.
З 1994 по 2014 рік в якості відповідального виконавця приймав участь у виконанні шести держбюджетних робіт в області сонячних елементів.
З 2008 року був науковим керівником трьох держбюджетних робіт.
Результати науково-дослідних робіт впроваджені в технологічний процес Публічним акціонерним товариством «Квазар» та Ізюмським приладобудівний заводом, м.Ізюм. Це підтверджено відповідними актами передачі і використання науково – технічних результатів.
Автор 133 публікацій наукового характеру, опублікованих в українських фахових журналах: «Український фізичний журнал», «Відновлювана енергетика», «Технічна електродинаміка», «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» «Фізика і хімія твердого тіла» і журналах визнаних міжнародною метрологічної базою SCOPUS: «Физика и техника полупроводников», «Thin Solid Films», «Functional Materials», «Japanese Journal of Applied Physics», «Semiconductor physics quantum electronics and optoelectronics», «Semiconductors», «Solar cells». Співавтор одного авторського свідоцтва, одного міжнародного патенту і восьми патентів України в галузі мікроелектроніки та сонячної енергетики.
НАЙБІЛЬШ ЗНАЧИМІ ПУБЛІКАЦІЇ В ВИДАННЯХ, ЩО ВХОДЯТЬ ДО БАЗИ SCOPUS
1. Boyko T., Khrypunov G.S., Kopach V.R., Yurchenko G.V. ZnO:Al film wide band window development for high efficiency solar cells based on CuInSe2 // Functional Materials.- 2000.- V.7, №4(2).- P.812-814.
2. BoykoT., Khrypunov G.S., Kopach V.R., Yurchenko G.V. Study of photoelectric processes in film heterosystems based on polycrystalline Cu-In-Se layers // Functional Materials.- 2000.- V.7, №2.- P.271-274.
3. BoykoT., Khrypunov G.S., Chernykh O.P. Specific photoelectric and optical properties of CdS/CdTe film heterosystems with solid solution interlayer // Functional Materials.- 2000.- V.7, №3.- P.406-409.
4. BoykoT., Kopach V.R., Khrypunov G.S. Chernykh O.P., Klochko N.P., Zakharchenko O.S. Storage and temperature effect on electrical parameters of film solar cells with CuIn0.71Ga0.29Se2 base layer // Functional Materials.- 2001.- V.8, №3.- Р.522-528.
5. Хрипунов Г.С. Влияние тыльного контакта на электрические свойства пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe // Прикладная физика.- 2005.- С.101-106.
6. N. Tiwari, G. Khrypunov, F. Kurtzesau, D.L. Batzner, A. Romeo and H. Zogg. CdTe Solar Cell in a Novel Configuration // Progress in Photovoltaic: Research and Applications, V.11, p. 33-38, 2003
7. Хрипунов Г.С. Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe // Физика и техника полупроводников.- 2005.- Т.39, №10.- С.1266-1270.
8. Хрипунов Г.С. Влияние тыльного контакта на электрические свойства пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe // Физика и техника полупроводников.- 2006.- Т.40, №1.- С.117-121.
9. Khrypunov G., Romeo A., Kurtzesau F., , Batzner D.L., Zogg H. and Tiwari A.N. Recent developments in evaporated CdTe solar cells ( Invited article) // Solar Energy Materials&Solar Cells.- 2006.- Vol. 90, №6- P. 664-677.
10. Kurdesau F., Khripunov G., Cunha A.F., Kaelin M., Tiwari A.N. Comparative study of ITO layers deposited by DC and RF magnetron sputtering // Non-crystalline materials.- 2006.- Vol. 352.- P. 1466-1470.
11. Romeo A., Khrypunov G., Romeo A., Kurtzesau F., Arnold M., Batzner D.L., Zogg H., Tiwari A.N. High-efficient flexible CdTe solar cells on polymer substrates // Solar Energy Materials&Solar Cells.- 2007
12. New strategies to obtain flexible dye sensitized solar cells /Upadhyaya H.M., Ito S., Calnan S., Bowers J., Khrypunov G., Comte P., Liska P., Thampi K.R., Graetzel M., Tiwari A.N. // Proceeding of 21st EUPVSE Conference .- Dresden (Germany).- 2006.- Ref №. 1BO9.6 (1-4 PP).
13. Ernits , D. Brémaud , S. Buecheler, C.J. Hibberd, M. Kaelin, G. Khrypunov , U. Müller , E. Mellikov, A.N. Tiwari Characterization of ultrasonically sprayed InxSy buffer layers for Cu(In,Ga)Se2 soalr cells // Thin Solid Films.- 2007.- Vol.515, №15-P. 6051-6054.
14. Romeo, G. Khrypunov, S. Galassini, H. Zogg and A.N. Tiwari, .N.Romeo 5, A.Bosio 5, S. Mazzamuto Comparison of CSS-CdTe and PVD-CdTe with different activation processes // 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy.- P.2368-2372
15. Хрипунов Г.С., Копач Г.И., Белоногов Е.К. Пленочные солнечные элементы на основе CdS/CdTe с наноразмерными сопрягающимися слоями // Материаловедение ( Россия) .- Том 140, №. 11.- 2008.- С. 59- 63.
16. Calnan S., Uphadhyaya H.M., Buecheler S., Khrypunov G., Chirila A., Romeo A., Hashimoto R., Nakada T. and A. N.Tiwari. Application of high mobility transparent conductors to enhance long wavelength transparency of the intermediate solar cell in multi-junction solar cells // Thin Solid Films.- Vol.-2009.-P.2340-2343.
17. Хрипунов Г.С. , Е.П, Черных, Н.А. Колтун, Е.К. Белоногов Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия // Физика и техника полупроводников .- Том 43, Вып. 8.- С. 1084- 1089.
18. Белоногов Е.К., Хрипунов Г.С. Размерный эффект, субструктура слоев и свойства солнечных элементов на основе CdS/CdTe// Альтернативная энергетика и экология .- Том 70, N. 2.- 2009.- С. 76- 82.
19. А.В. Мериуц, Г.С. Хрипунов, Т.Н. Шелест, Н.В. Дейнеко Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чуствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe. // Физика и техника полупроводников — Т. 44, №6-2010-с.829-832.
20. Khrypunov, A. Meriuts, H. Klochko, T. Shelest1, A. Khrypunova Investigation of Thin film solar cells on CdS/CdTe base with different back contacts // CIMTEC Forum 2010 (Italy). Trans Tech Publications, Switzerland 5 P.
21. Г.С. Хрипунов, В.Р. Копач, А.В. Мериуц, Р.В. Зайцев, М.В. Кириченко, Н.В. Дейнеко Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на кпд пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdТe // Физика и техника полупроводников-Т.45, № 11-2011-с.1564-1570
22. Rashad Hajmammadov, Nasser Fathi, Ayaz Bayramov, Gennadiy Khrypunov, Nataliya Klocko and Tatyana Li Effect of “CdCl2 treatment” on the properties of CdTe-based solar cells prepared by physical vapor deposition and close-spaced sublimation methods // Japanese Journal of Applied Physics.- 2011.- 50, P. 05FH01(1-2).
23. Gennadiy Khrypunov, Nataliya Klocko Neonila Volkova, Victor Lyubov and Tatyana Li Single-phase cadmium telluride thin film deposited by electroless electrodeposition // Japanese Journal of Applied — 2011.- Vol. 50, P. 05FH04 (1-2).
24. Khrypunov G.S., Shelest T.N., Li T.N., Kovtun N.A., makarov A.V., Avksentyeva L.V. Thib films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer // Semiconductor Physics, Quantum Elect-ronics&Optoelectronics.-2011.- 14, №12, P. 122-126.
25. Gladyshew P.P., Filin S.V., Puzynin A.I., Tanachev I.A., Rybakova A.V., Tuzova V.V.,Khrypunov G.S. at all Thin film solar cells on CdTe and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) compounds// Journal of Physics : Conference Series.- 2011.- 291, 012049 (1-8).
26. Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Ю.А.Мягченко, :Е.Е. Мельничук, В.Р.Копач, Е.С. Клепикова, В.Н. Любов, А.В. Копач. Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза// Физика и техника полупроводников.-2012.-Т.46, вып.6.-С.545-551.
27. Н.П. Клочко, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Р. Копач, Е.С. Клепикова, В.Н. Любов, Г.С. Хрипунов, А.В. Копач. Перспективы импульсного электроосаждения иерархических наноструктур оксида цинка// Физика и техника полупроводников, Т. 47, вып. 8.- — с. 1129-1136.
28. Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р. Копач, А.В. Момотенко, В.Н. Любов. Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников, Т. 48, вып. -2014.- с. 539-548.
29. Клочко Н.П., Хрипунов Г.С., Мягченко Ю.А., Мельничук Е.Е., Копач В.Р., Клепикова Е.С., Любов В.Н., Копач А.В. Электроосажденные массивы оксида цинка с эффектом глаза ночной бабочки // Физика и техника полупроводников, Т. 48, вып.4 -2014.- с. 549-555.
ПАТЕНТИ
1. International Petent : A.N. Tiwari, G. Khrypunov, F. Kurdezesau, D.L. Barzner A. Romeo Bifacial thin film solar cells, application number GB200300 18906 200030813, priority number GB200300 18906 200030813 dated lodged – 13.08.2003, dated published – 16.02.2005
2. Патент України на корисну модель №45374 «Спосіб виготовлення гнучких тандемних фотоелектричних перетворювачів» / К.Ю.Крикун, Хрипунов Г.С., І.Т.Тимчук., О.М. Антонова, Г.В. Лісачук, В.М. Борщов, зареєстровано 11.2009;
3. Патент України на корисну модель №60406 «Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача» / Зайцев Р.В., Копач В.Р., Кіріченко М.В., Хрипунов Г.С., Лісачук Г.В., зареєстровано 25.06.2011
4. Патент України на винахід №94649 «Спосіб формування базових шарів CdTe та пристрій для його реалізації»/ Рос Д.Б. Харченко М.М., Хрипунов Г.С., Кравець А.В., Товажнянська О.Л., Станкевич А.І., зареєстровано 25.05.2011;
5. Патент України на корисну модель №60192 «Спосіб відновлювання плівкових сонячних елементів що зазнали деградацію» / Кіріченко М.В., Зайцев Р.В., Копач В.Р., Хрипунов Г.С., Лісачук Г.В., Дейнеко Н.В., зареєстровано 10.08.2011;
6. Патент України на корисну модель №65024 «Спосіб контролю проведення «хлоридної» оборобки» / Хрипунов Г.С., Лісачук Г.В., Кудій Д.А., зареєстровано 25.11.2011
7. Патент України на корисну модель №77613 «Світловипромінююча комірка» / Зайцев Р.В., Копач В.Р., Кіріченко М.В., Хрипунов Г.С., зареєстровано 25.02.2013
8. Патент України на корисну модель №77670 «Спосіб підвищення ККД кремнієвого фотоелектричного перетворювача з вертикальними діодними комірками» / Стребков Д.С., Поляков В.І., Копач В.Р., Хрипунов Г.С., Зайцев Р.В., Кіріченко М.В., зареєстровано 25.02.2013.