Кафедра
МІКрО- та наноелектроніка
Кафедра “Мікро- та наноелектроніка” (раніше “Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики”) була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, професора Бойко Бориса Тимофійовича. Професорсько-викладацьким складом і науковими співробітниками кафедри Мікро- та наноелектроніки створена матерільно-технічна база, яка дозволяє реалізувати комплексний підхід до навчання студентів та проведення інтенсивної наукової роботи. Навчально-лабораторна база містить промислові і лабораторні вакуумні установки та різноманітне хімічне обладнання, що дозволяє одержувати тонкі плівки металів, напівпровідників, діелектриків і багатошарових систем. Дослідження структури таких об`єктів забезпечується шляхом оптичної та електронної (просвічуючої та растрової) мікроскопії, дифрактометричними методами.

ЗАЙЦЕВ Роман Валентинович
Завідувач кафедри
доцент, кандидат технічних наук
Випускаюча спецiaльность
Спеціальність G5 «Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка» —
«Мікроелектроніка енергоефективності та електронний захист»
Спеціальність E6 «Прикладна фізика та наноматеріали» —
«Прикладна фізика наноматеріалів та радіотехнологій»
Мікро- та наноелектроніка – найсучасніший напрям у науці, техніці та виробництві, що дуже швидко розвивається в усьому світі. Наноелектроніка вивчає і використовує фізичні явища і процеси в електронних приладах, геометричні розміри яких сумірні з розмірами молекул і атомів. Наноелектроніка – це не тільки майбутнє, але надзвичайно важливий і перспективний напрям сучасної електроніки. Новітні швидкісні процесори й принципово нове медичне обладнання, комп’ютери, гаджети, роботи, інструменти тощо.
Напрямки наукової діяльності
Дослідження взаємодії електромагнітних хвиль з нанорозмірними багатошаровими структурами для розробки нових фізичних підходів підвищення ефективності фотоелектричного перетворення в напівпровідникових приладових структурах; оптимізації технологічних рішень плівкових широкозонних «вікон» ZnO:Al, ZnO:In, ITO, SnO2:Sb для використання в конструкціях різноманітних виробів електроніки та геліоенергетики; розробка фізичних основ технології виготовлення базових шарів системи Cu-In-Se для фотоелектричних перетворювачів методами електрохімічного осадження та в квазізамкнутому об’ємі, які суттєво знижують енерговитрати при виготовленні таких приладових структур; оптимізація конструктивно-технологічних рішень фотоелектричних перетворювачів на основі кристалічного кремнію для наземного та космічного застосування; розробка імітаторів сонячного опромінення нового покоління на основі напівпровідникових світлодіодів; розробка економічної хімічної технології отримання базових та сервісних шарів плівкових сонячних елементів; розробка хімічних технологій наноструктурних фотоелектричних перетворювачів; розробка термо-вакуумних та магнетронних технологій виготовлення нових типів плівкових сонячних елементів на основі сульфіду та теллурида кадмію – гнучкої конфігурації з надтонким базовим шаром.
Адреса
м. Харків, пров. Подільский, 2,
Навчальний корпус №3
Контакти
Телефон: (057) 731-56-91
Email: kaf.fmeg@gmail.com