Кафедра

МІКрО- та наноелектроніка

Кафедра “Мікро- та наноелектроніка” (раніше “Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики”) була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, професора Бойко Бориса Тимофійовича. Професорсько-викладацьким складом і науковими співробітниками кафедри Мікро- та наноелектроніки створена матерільно-технічна база, яка дозволяє реалізувати комплексний підхід до навчання студентів та проведення інтенсивної наукової роботи. Навчально-лабораторна база містить промислові і лабораторні вакуумні установки та різноманітне хімічне обладнання, що дозволяє одержувати тонкі плівки металів, напівпровідників, діелектриків і багатошарових систем. Дослідження структури таких об`єктів забезпечується шляхом оптичної та електронної (просвічуючої та растрової) мікроскопії, дифрактометричними методами. 

ЗАЙЦЕВ Роман Валентинович

Завідувач кафедри

доцент, кандидат технічних наук

Випускаючi спецiaльностi та спеціалізації

Спеціальність 153«Мікро- та наносистемна техніка» — Спеціалізація «Мікро- та наносистемна техніка для сонячної енергетики»

Мікро- та наноелектроніка – найсучасніший напрям у науці, техніці та виробництві, що дуже швидко розвивається в усьому світі. Наноелектроніка вивчає і використовує фізичні явища і процеси в електронних приладах, геометричні розміри яких сумірні з розмірами молекул і атомів. Наноелектроніка – це не тільки майбутнє, але надзвичайно важливий і перспективний напрям сучасної електроніки. Новітні швидкісні процесори й принципово нове медичне обладнання, комп’ютери, гаджети, роботи, інструменти тощо.

Напрямки наукової діяльності

Дослідження взаємодії електромагнітних хвиль з нанорозмірними багатошаровими структурами для розробки нових фізичних підходів підвищення ефективності фотоелектричного перетворення в напівпровідникових приладових структурах; оптимізації технологічних рішень плівкових широкозонних «вікон» ZnO:Al, ZnO:In, ITO, SnO2:Sb для використання в конструкціях різноманітних виробів електроніки та геліоенергетики; розробка фізичних основ технології виготовлення базових шарів системи Cu-In-Se для фотоелектричних перетворювачів методами електрохімічного осадження та в квазізамкнутому об’ємі, які суттєво знижують енерговитрати при виготовленні таких приладових структур; оптимізація конструктивно-технологічних рішень фотоелектричних перетворювачів на основі кристалічного кремнію для наземного та космічного застосування; розробка імітаторів сонячного опромінення нового покоління на основі напівпровідникових світлодіодів; розробка економічної хімічної технології отримання базових та сервісних шарів плівкових сонячних елементів; розробка хімічних технологій наноструктурних фотоелектричних перетворювачів; розробка термо-вакуумних та магнетронних технологій виготовлення нових типів плівкових сонячних елементів на основі сульфіду та теллурида кадмію – гнучкої конфігурації з надтонким базовим шаром.

Адреса

м. Харків, пров. Подільский, 2,

Навчальний корпус №3

Контакти

Телефон: (057) 731-56-91

 Email: kaf.fmeg@gmail.com